在不使用任何催化劑的情況下，使用電子束蒸發(fā)法在p型硅襯底上沉積了一層薄薄的氧化銅(I) (Cu2O)層。對所制備的氧化銅樣品在300 ~ 700℃的不同退火溫度下進(jìn)行退火。

采用x射線衍射(XRD)和掃描電鏡(SEM)對沉積態(tài)和退火態(tài)樣品進(jìn)行了結(jié)構(gòu)和形態(tài)分析。XRD分析結(jié)果表明，cu (II) oxide (CuO)樣品發(fā)生了相變，在~ 35.79°和~ 38.94°處分別出現(xiàn)了(11?1)和(220)晶面上的峰，證實(shí)了CuO的存在。

在600°C退火1 h后，從頂視圖SEM圖像上觀察到半立方形狀的粗糙表面。此外，通過x射線光電子能譜分析，表面成分強(qiáng)烈地表明，在沉積樣品中形成了Cu2O，在600°C退火后轉(zhuǎn)變?yōu)镃uO相。此外，吸收光譜顯示退火后Cu2O薄膜在IR區(qū)吸收增強(qiáng)。

此外，退火后樣品的光帶隙由~ 2.17 eV減小到~ 1.43 eV。因此，利用電子束蒸發(fā)技術(shù)在Si襯底上制備高質(zhì)量氧化銅- tf的工藝可用于開發(fā)多種光電子應(yīng)用。