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　　早在1960年代美國(guó)軍方即開始將導(dǎo)電銀漿料應(yīng)用在電磁波屏蔽。銀漿料具有極佳的儲(chǔ)存安定性，電磁波屏蔽效果是導(dǎo)電金屬材料中最佳者，但缺點(diǎn)是材料成本太高，尤其是近幾年金屬塬物料成本不斷地飆漲下，更顯得昂貴。銅漿料導(dǎo)電性好，電磁波屏蔽能力又僅次于導(dǎo)電銀漿料，但缺點(diǎn)是抗氧化能力差，在空氣下銅粉表面極易生成導(dǎo)電性不佳的氧化銅;近年來(lái)隨著抗氧化技術(shù)不斷進(jìn)步，例如利用包覆一層銀金屬或?qū)щ娞寄び阢~粉粒子表面，進(jìn)而達(dá)到隔絕空氣與銅產(chǎn)生氧化反應(yīng)，使銅漿料在電磁波屏蔽的用途增多。鎳漿料相對(duì)于銀、銅漿料的電磁波屏蔽能力薄弱許多，尤其是在頻率低于30 MHz下，其抗氧化能力較銅金屬來(lái)得優(yōu)秀，粉體材料價(jià)格也比銀、銅金屬便宜許多，因此仍有其產(chǎn)品用途;唯目前軟板使用的電磁波屏蔽材料，因考量鎳漿料相較于銀、銅漿料要達(dá)到不錯(cuò)的電磁波屏蔽特性需有較厚的涂層，因此軟板電磁波屏蔽材料大多仍採(cǎi)用銀、銅導(dǎo)電漿料。

　　第二種方式電磁波屏蔽材料則是利用導(dǎo)電貼膠膜，通常是以真空濺鍍(Sputter)或化學(xué)電鍍(Plating)方式，在導(dǎo)電貼膠膜材上沉積單層或多層的銀、銅、鎳等導(dǎo)電金屬薄膜，藉此提升導(dǎo)電貼膠膜材料對(duì)電磁波干擾屏蔽能力。在考量金屬薄膜材料之可撓性、材料成本與電磁波屏蔽能力等因素下，金屬薄膜沉積厚度約在0.1~1 μm之間。電磁波屏蔽材料的導(dǎo)電貼膠膜主要是由導(dǎo)電性粉體粒子，搭配具有一定固化交聯(lián)反應(yīng)程度B-stage的高分子材料。一般常用的高分子有環(huán)氧樹脂(Epoxy Resin)、聚亞醯胺樹脂(Polyimide Resin)、硅樹脂(Silicon Resin)等，典型高分子材料結(jié)構(gòu)如圖一所示。從材料成本與製程等方面考量，傳統(tǒng)導(dǎo)電貼膠膜材料所使用的高分子多由熱固化(Thermosetting)型環(huán)氧樹脂材料所組成。樹脂材料本身除了要有良好的黏著強(qiáng)度、高溫尺寸安定性，與保護(hù)軟板避免外在的化學(xué)、濕氣與溶劑環(huán)境影響等膠膜基本功能特性外，為了符合軟板構(gòu)裝加工性及軟板產(chǎn)品特性，在樹脂材料配方的反應(yīng)機(jī)制設(shè)計(jì)上，需具備低溫快速硬化(~150°C)、適當(dāng)?shù)牧髯冃耘c優(yōu)異可撓彎曲性等

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